- 三星将发布用于人工智能数据中心的400层NAND芯片
- 全新 BV NAND 技术提高密度并最大限度减少热量积聚
- 计划到2030年1000层NAND扩大产能
三星据报道称，该公司正致力于在 2026 年之前推出破纪录的 400 层垂直 NAND 闪存芯片。
报告由韩国经济日报表示，三星设备解决方案 (DS) 部门旨在通过其尖端的 V10 NAND 推进 NAND 闪存市场，旨在满足 AI 数据中心不断增长的需求。
报告中概述的该公司的存储器路线图显示了先进的第 10 代 NAND 的计划，该计划将利用键合技术在不同的晶圆上单独构建存储器单元和外围电路，然后将它们融合到单个芯片中。这种新方法被称为粘合垂直 NANDFlash (BV NAND)，可最大限度地减少热量积聚并最大限度地提高容量和性能，创造出三星所说的“人工智能的梦想 NAND”。
到 2030 年将达到 1,000 层
BV NAND 设计单位面积的位密度提高了 1.6 倍，支持非常适合人工智能应用的超高容量固态硬盘 (SSD)。
三星当前的 286 层 V9 NAND 芯片标志着一个重要的里程碑，但 400 层 V10 预计将重新定义容量限制，有可能突破超大型 AI Hyperscaler SSD 的 200TB 存储门槛，同时提高能源效率。
对于未来的版本，全球最大的内存芯片制造商计划于 2027 年推出第 11 代 V11 NAND，数据传输速度提高 50%，进一步优化性能以满足高要求的数据存储需求。
三星雄心勃勃的 NAND 路线图进一步延伸，计划到 2030 年芯片数量超过 1,000 层，凯德报告。这一进步旨在让三星保持在高容量 NAND 市场的领先地位，该市场的需求是由需要扩展存储解决方案来处理大量数据的人工智能应用刺激的。
在DRAM领域，三星计划在2024年底前发布第六代1c DRAM和第七代1d DRAM，目标用于高性能AI芯片。根据韩国经济日报报告称，该公司还计划到 2027 年推出低于 10 nm 0a DRAM，采用垂直沟道晶体管结构以实现更高的稳定性和效率。