据媒体报道,市场消息人士此前表示,台积电于 2024 年 9 月从荷兰半导体设备制造商 ASML 收到了第一台 High-NA(高数值孔径)极紫外(EUV)光刻机 EXE:5000。
这标志着台积电对这项先进半导体技术立场的转变——从最初的谨慎到全面采用——旨在保持其在竞争激烈的半导体行业中的领导地位,并应对快速增长的先进AI芯片制造工艺的需求。
据 TechSpot 报道,采用高数值孔径 EUV 光刻机对于台积电开发 2 纳米以下工艺至关重要。高数值孔径 EUV 将数值孔径从 0.33 增加到 0.55,从而在晶圆上实现更高的分辨率。根据台积电的路线图,高NA EUV光刻机将集成到其A14(1.4nm)工艺节点中,预计将于2027年进入量产。
这些先进的光刻机不会立即投入运行。在集成到大批量生产之前,需要进行广泛的测试、微调和流程优化。当这些机器全面投入运行时,台积电预计将发展到其 A10 (1nm) 工艺节点,代表着几代的技术进步。该时间表与台积电更广泛的芯片工艺开发路线图一致。
在台积电 2024 年第三季度财报电话会议上,首席财务官 Wendell Huang 概述了该公司的先进节点开发计划,并指出 N2 工艺将于 2026 年更新。这些更新涉及的准备成本会随着每个后续节点开发而增加,反映出先进工艺的复杂性不断增加。
每台高数值孔径 EUV 光刻机的成本约为 3.84 亿美元。尽管如此,台积电在 EUV 光刻技术方面的领先地位预计将吸引更多寻求先进芯片制造能力的高端客户。
这可能会进一步拉大台积电与其竞争对手,特别是韩国三星电子之间的差距。台积电目前的标准孔径EUV技术已经奠定了坚实的基础。
2019年,台积电正式推出N7+节点,这是第一个使用EUV光刻的工艺,当时运行着大约10台标准EUV机器。此后,台积电迅速扩大其 EUV 生产能力,EUV 系统销量从 2019 年到 2023 年将增长十倍。目前,台积电占 EUV 光刻机全球装机量的 56%,将其部署在其 N5、N3 和即将推出的 EUV 光刻机上。N2 过程节点。
台积电采用 EUV 的方法是系统化且以客户为中心的。该公司根据新技术的成熟度、成本和潜在的客户利益仔细评估新技术,然后将其集成到大批量生产中。台积电计划首先使用高数值孔径 EUV 光刻机进行研发,开发客户驱动创新所需的基础设施和图案化解决方案,然后扩大规模以满足客户需求。
(照片来源:台积电)