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美国限制 HBM 芯片出口,中国人工智能希望面临新的挫折

2024-11-26 12:00:13 英文原文

随着美国准备实施限制韩国向中国公司出口先进存储芯片的新规定,中国开发国产人工智能(AI)半导体的努力面临新的挫折。

业内人士表示,如果由于缺乏国内替代品而因美国新限制而切断韩国高带宽内存(HBM)芯片的供应,中国大陆将陷入困境。HBM 芯片是使用先进封装技术垂直连接的动态随机存取存储器 (DRAM),是图形处理单元 (GPU) 和其他人工智能加速器的重要组件。

据路透社上周报道,华盛顿正在考虑制定新的出口规则,以限制此类芯片运往中国。一些中国AI芯片公司已经切断外国晶圆代工服务在 7 纳米节点,这是开发先进人工智能半导体所必需的。

A low-power double data rate synchronous DRAM developed by CXMT. Photo: Handout

长鑫存储研发的低功耗双倍数据率同步DRAM。照片:讲义

根据台湾研究公司 TrendForce 的数据,韩国存储芯片巨头 SK 海力士和三星电子在 HBM 供应中占据主导地位,到 2023 年,它们各自控制着全球约 48% 的市场份额。中国在存储芯片方面严重依赖韩国三星和SK海力士随着人工智能芯片的繁荣,这两家公司上半年的中国销售额都在飙升。

“如果中国不能进口 HBM,它将在中短期内受到损害,”加拿大研究公司 TechInsights 的高级分析师 Jeongdong Choe 表示。– 中国使用的HBM芯片主要来自三星和SK海力士,特别是HBM2和HBM2E。 –

尽管得到了政府的大力财政支持,中国最大的 DRAM 制造商长鑫存储科技 (CXMT) 尚未实现批量生产 HBM 的能力。该公司的技术落后韩国竞争对手至少两代,尽管自 2023 年以来一直在努力追赶。

美国投资银行摩根士丹利分析师 Shawn Kim、Duan Liu 和 Michelle Kim 周一发布的一份报告称,长鑫存储正在与一家国内芯片封装测试公司合作开发首款国产 HBM。

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摘要

随着美国计划制定新规则限制韩国向中国企业出口先进存储芯片,中国在开发本土人工智能半导体方面面临挑战。由于缺乏国内替代品,韩国高带宽内存(HBM)芯片的短缺可能会损害中国的人工智能芯片行业。韩国公司 SK 海力士和三星在全球 HBM 市场占据主导地位,到 2023 年各占约 48% 的份额。尽管有政府支持,中国公司长鑫存储科技仍难以大规模生产 HBM 芯片,并且落后韩国竞争对手至少两倍几代人。

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