本周，美光 提供了更新其 HBM4 和 HBM4E 计划。下一代 HBM4 存储器，具有 2048 位接口，有望于 2026 年实现量产，HBM4E 也将在随后几年实现量产。除了提供比 HBM4 更高的数据传输速率之外，HBM4E 还将引入定制其基础芯片的选项，标志着行业范式的转变。
毫无疑问，HBM4 的 2048 位内存接口令人印象深刻。然而，HBM4E 将更加令人印象深刻，使美光能够为某些客户提供定制基础芯片，从而提供具有潜在附加功能的更优化的解决方案。定制逻辑芯片将由台积电使用先进节点制造，允许它们封装更多缓存和逻辑，以提高性能和功能。
美光公司总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示：“HBM4E 将采用台积电先进逻辑代工制造工艺，为某些客户定制逻辑基础芯片，从而为内存业务带来范式转变。”“我们预计这种定制能力将推动美光科技改善财务业绩。”
目前，我们只能想知道美光计划如何定制其 HBM4E 基础逻辑芯片。尽管如此，可能性的列表很长，包括基本处理功能，例如增强型缓存、为特定应用（AI、HPC、网络等）定制的自定义接口协议、内存到内存传输功能、可变接口宽度、高级电压缩放和功率门控，以及自定义 ECC 和/或安全算法。请记住，这是推测性的。目前，尚不清楚实际的 JEDEC 标准是否支持此类定制。
美光表示，HBM4E 产品的开发工作正在与多个客户顺利进行，因此我们可以预期不同的客户会采用不同配置的基础芯片。这标志着向需要带宽的人工智能、高性能计算、网络和其他应用定制内存解决方案迈出了一步。定制 HBM4E 解决方案如何与本月早些时候推出的 Marvell 定制 HBM (cHBM4) 解决方案相媲美还有待观察。
美光的 HBM4 将使用该公司基于其经过验证的 1β（第五代 10 纳米级工艺技术）制造的 DRAM，放置在具有 2048 位宽接口和约 6.4 GT/s 数据传输速率的基础芯片之上，这将每个堆栈提供 1.64 TB/s 的峰值理论带宽。美光计划在 2026 年大规模提高 HBM4 产量，这与 Nvidia 的 Vera Rubin 和 AMD Instinct MI400 系列 GPU适用于 AI 和 HPC 应用程序。有趣的是，三星和 SK 海力士都是 传闻为其 HBM4 产品使用第六代 10 纳米级制造技术。
美光本周还透露，其用于 Nvidia Blackwell 处理器的 8-Hi HBM3E 设备的发货已经全面展开。该公司的 12-Hi HBM3E 堆栈正在由其主要客户进行测试，据报道他们对结果感到满意。
“我们继续收到主要客户对美光 HBM3E 12-Hi 堆栈的积极反馈，该堆栈具有一流的功耗，比竞争对手的 HBM3E 8-Hi 低 20%，尽管美光产品的功耗仅为 50%更高的内存容量和行业领先的性能。”Mehrotra 说道。
12-Hi HBM3E 堆栈预计将由 AMD 使用 本能MI325X和 MI355X 加速器，以及用于 AI 和 HPC 工作负载的 Nvidia Blackwell B300 系列计算 GPU。