尽管是全球最大的存储芯片制造商三星在 AI 芯片竞赛中被规模较小的竞争对手美光和 SK 海力士甩在了后面。依然是无法提供HBM3E内存Nvidia 的旗舰 AI 芯片。然而，该公司通过订购制造 HBM4 内存的设备，向未来迈出了关键的一步。
三星订购设备生产用于 HBM4 内存的 1c DRAM
根据一份报告零点网，三星已开始订购制造1c DRAM的设备。该设备将用于在公司厂房上建设一条量产线（P4）平泽校区。
据说三星正在研发HBM4内存采用1c DRAM，比竞争对手先进一个版本。据报道，美光和 SK 海力士已决定在其 HBM4 芯片中使用 1b DRAM。三星的目标是弥补过去几年在HBM3和HBM3E领域损失的时间。
据报道，这家韩国芯片巨头已开始与合作伙伴进行讨论，新生产线的建设预计将于 2025 年中期完成。
与此同时，该公司已测试8层和12层HBM3E内存与 Nvidia 合作，但由于性能问题而无法供应这些芯片。现在，据说三星正在对这些芯片进行轻微修改，以便可以开始向 Nvidia 提供 HBM3E 内存。
SK 海力士的目标是在今年第四季度之前完成其 HBM4 内存的流片过程。流片是指向制造团队提供最终设计的过程。
一旦流片完成，就可以开始制造测试，如果一切按计划进行，就可以开始批量生产。由于SK海力士将使用1b DRAM用于HBM4芯片，因此其生产可以更加稳定。
希望三星的 HBM4 芯片不会像 HBM3 和 HBM3E 芯片那样面临性能问题。市场分析公司表示，明年 HBM 内存的需求将会很高，因此三星在这一领域取得良好表现非常重要。