麻省理工学院分拆的垂直半导体公司为人工智能电源芯片技术筹集了 1100 万美元

2025-10-15 12:04:05 英文原文

作者:Stephen Nellis Wed, October 15, 2025 at 6:04 AM MDT 2 min read

(更正第 4 段中 Matt Hershenson 名字的拼写)

斯蒂芬·内利斯

旧金山(路透社)——从麻省理工学院分拆出来的初创公司 Vertical Semiconductor 周三表示,它筹集了 1100 万美元资金,用于将能够为人类提供电力的芯片技术商业化。人工智能服务器更高效。

Vertical 用一种称为氮化镓的材料制造芯片,这种材料是硅的替代品,正在成为芯片设计人员领导的努力的核心英伟达改造人工智能数据中心内的辅助芯片,以引导电力并将其转换为英伟达芯片所需的形式。

这些数据中心目前消耗的电力与一些城市一样多。然而,当将发电站的巨大电压转换为微芯片所需的微小电压时,大部分电力只会产生热量。这激发了人们对减少损失的投资和兴趣的狂热。

领投本轮融资的风险投资公司 Playground Global 的合伙人马特·赫申森 (Matt Hershenson) 在接受采访时表示:“你没有提供这种能力(计算任务),它会直接转化为热量。”

瑞萨、英飞凌和 Power Integrations 等老牌芯片制造商都在与 Nvidia 合作,开发用于 AI 数据中心的氮化镓(芯片行业称为“GaN”)制成的功率芯片。

但计划今年交付原型机并于明年交付芯片的Vertical采取了不同的方法,希望能够使其芯片变得更小、温度更低。

在大多数现有的 GaN 芯片上,晶体管(芯片的基本构建模块)是水平布局的。顾名思义,垂直式将晶体管的各个部分堆叠在一起,从而形成更紧凑的芯片。

该方法源自麻省理工学院教授托马斯·帕拉西奥斯(Tomas Palacios)领导的工作,他是该公司的联合创始人,并由约书亚·佩罗泽克(Joshua Perozek)开发,他的博士研究重点是该技术。

来自麻省理工学院斯隆管理学院的 Cynthia Liao 表示,随着时间的推移,该初创公司希望通过为数据中心所有者提供比更成熟的技术更好的成本节约来与成熟的参与者竞争。

廖在接受采访时表示:“我们确实相信,我们提供了一个引人注目的下一代解决方案,它不仅仅是这里或那里几个百分点,而是实际上是逐步的转变。”

(斯蒂芬·内利斯旧金山报道;克里斯托弗·库欣编辑)

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摘要

麻省理工学院的初创公司 Vertical Semiconductor 已筹集 1100 万美元,用于氮化镓芯片的商业化,旨在提高人工智能服务器的能源效率。该公司的方法涉及垂直堆叠晶体管,以制造比传统水平布局更小、更冷的芯片。这项创新可以显着减少数据中心的电力损耗和热量产生,解决人们对高电力消耗日益增长的担忧。Vertical 的目标是今年推出原型机,明年推出商用芯片,与成熟的芯片制造商在数据中心所有者的成本效率方面展开竞争。