三星代工业务在其先进芯片工艺方面一直面临困难，特别是在 3 纳米生产方面。据《韩国时报》报道，直到今年第一季度，三星 3nm 工艺的良率仍保持在个位数，导致其 Exynos 2500 芯片组的工程样品供应出现延迟。
同一份报告指出，当地分析师估计，第二季度三星 3 纳米工艺的良率将提高至 20% 左右。尽管取得了这些进展，但良率仍远低于大规模生产通常所需的 60% 阈值，这给公司获得代工订单带来了挑战。
考虑到这种情况，三星似乎已经改变了战略其最新设施是位于京畿道平泽的 P4 工厂。三星现在优先考虑先进的 DRAM 内存生产，例如高带宽内存 (HBM) 芯片，而不是最初安装 NAND 设备，然后转向代工产品。《韩国时报》援引的行业消息人士表示，这种转变是由于对其代工服务的需求疲软造成的。越来越多的人猜测，由于对 HBM 和人工智能服务器中使用的其他先进内存类型的稳定需求，三星甚至可能将 P4 晶圆厂完全用于内存芯片生产。
这些发展也给三星的投资带来了不确定性。在德克萨斯州泰勒工厂。该公司原计划明年开始大规模生产 4 纳米芯片，但现在已推迟到 2026 年。尽管据报道 4 纳米工艺的良率稳定，但三星在获得无晶圆厂公司订单方面仍面临挑战
这种情况导致人们猜测三星可能会转向专注于更先进的 2 纳米芯片而不是 4 纳米芯片，以吸引下一代产品的订单。然而，有报道称，该公司也在努力实现 2 纳米和 3 纳米工艺的高良率。
据业内人士称，低良率是三星代工业务持续陷入困境的关键因素。由韩国时报报道。虽然该公司已成功稳定了 4 纳米工艺的良率，但第二代 3 纳米和 2 纳米工艺等更先进的节点仍然存在问题。
《韩国商业报》9 月 11 日的一份报告强调，挑战雪上加霜。2nm 工艺持续的良率问题促使三星从德克萨斯州泰勒工厂撤出人员，这标志着其先进晶圆代工雄心再次受挫。
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（照片来源：三星）