英特尔 ZAM 内存凭借 2 倍 HBM4 带宽、更大容量和低热约束威胁 HBM 的 AI 王座
作者：Hassan Mujtaba
英特尔的 Z 角内存 (ZAM) 即将完成，它正在努力抢占 AI 热潮，同时挑战 HBM 作为可行的替代方案。
英特尔的 ZAM 作为高带宽、高容量领域的大内存创新挑战 HBM，速度是 HBM4 的 2 倍
Z 角记忆或 ZAM在内存领域引起了很多讨论。即将推出的内存标准由英特尔和软银开发，旨在提供HBM 的低功耗、高密度替代品。
现在，我们分享了新的细节，可以让您更深入地了解 ZAM 内存。首先，新内存将提供 2 倍于 HBM4 的带宽，甚至可以与下一代 HBM4E 标准相媲美，而该标准预计要到明年才能实现。ZAM 本身的目标是 2028-2030 年的时间框架，因此该项目还需要一段时间才能达到生产水平。
在 VLSI Symposium 2026 上，英特尔和软银子公司，赛记忆，将公布新的细节，并已经预览了即将推出的标准的一些功能。新的细节突出了我们将详细讨论的各个方面。
从设计本身开始，ZAM 或 Z-Angle 存储器正在通过 9 层堆叠设计进行演示。单个堆栈包括八个 DRAM 堆栈，每个堆栈之间都有一个 3 微米硅基板。主基板具有一个逻辑控制器，可补充所有九个 DRAM 堆栈。
主要有 3 个 TSV 层，每层封装 13.7k 个硅通孔互连路径，这些路径采用混合键合。每层提供 1.125 GB 的容量，因此我们考虑的是每个堆栈 10 GB 的容量或整个包中的 30 GB 的容量。ZAM 堆栈尺寸为 171mm2 (15.4 x 11.1mm)，内存每 mm2 提供 0.25 Tb/s 带宽，相当于每个堆栈 5.3 TB/s 带宽。
现在我们来谈谈HBM内存的优点。目前，HBM是高性能AI加速器和GPU的首选。但随着 HBM 规模的扩大，它也会导致结构性问题，包括更多的热量和更高的功率。ZAM解决三个核心领域：高密度、宽带宽和低功耗。ZAM的结构特点允许垂直构建，非常有利于散热，无需穿过布线层。
ZAM 的主要优势：
- 更高的带宽密度：~0.25 Tb/s/mm²（与 HBM 中的较低带宽密度相比）
- 更低的功耗：针对低数据传输功率进行了优化
- 卓越的散热性：垂直架构可实现更好的热管理（HBM 会因布线层而产生热量积聚）
- 超高堆叠：支持 9 层以上，每堆叠采用极薄 3μm Si 和通孔合一 TSV
- 创新技术：磁场耦合无线 I/O + 先进的可扩展性粘合
- AI 优化：解决 HBM 对生成型 AI 工作负载的结构限制
ZAM 的最终目标是通过 3.5D 封装技术实现密集的 3D 内存设计，该技术在单个基板上容纳垂直和水平层，包括高带宽、大型内存堆栈、电源/接地轨、硅光子和传统 IO。ZAM 听起来确实非常有前途，我们期待第一个实时演示，但要使其被认为是相对于 HBM 具有真正竞争力的解决方案，它需要看到实际应用，以及当人工智能市场全面发展时，有什么更好的方法可以快速实现这一目标。
关于作者:Hassan Mujtaba 是一位经过培训的软件工程师和一位充满热情的 PC 爱好者，他担任 Wccftech 的高级编辑硬件部分。凭借多年的行业经验，他专门从事下一代 CPU 和 GPU 架构、主板和冷却解决方案的深入技术分析。他的工作不仅涉及即将到来的技术的突发新闻，还涉及广泛的实践审查和基准测试。
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